Struktury półprzewodnikowe HgCdTe/GaAs, HgCdTe/Si

wykonywanie obliczeń na podstawie macierzy przewodnictwa elektrycznego w funkcji pola magnetycznego w zakresie słabych stałych pól magnetycznych od 0,01T do 1T (klasyczny efekt Halla, metoda van der Pauw, temp.77-300K); wyznaczanie parametrów transportu elektronowego na podstawie dyskretnego widma ruchliwości (DMSA) (parametry nośników prądu, wyznaczanie grubości złącza p-n wykonanego metodą trawienia jonowego, starzenie materiału półprzewodnikowego)