System TOF-SIMS 5 firmy ION-TOF

Do analizy składu materiałów zostanie wykorzystany system TOF-SIMS 5 firmy ION-TOF, który pozwala na pracę w modzie statycznym oraz dynamicznym, rejestrację widm masowych, profili głębokościowych, dwu- i trójwymiarowych map rozkładów pierwiastków, w tym również obrazowania obszarów makroskopowych. Aparatura jaką dysponujemy wyposażona jest w działo analizujące emitujące wiązkę Bi⁺, Bi₃⁺ o energii 30 keV. Spektrometr jest wyposażony również w dwa działa rozpylające (bombardujące) jonami Cs⁺ i O₂+ o energiach do 2 keV. Bombardowanie tymi jonami pozwala na trawienie próbki z określoną szybkością. Rozdzielczość masowa klastrów Bi: > 5,000 (FWHM). Minimalny rozmiar wiązki: < 300 nm. Powierzchnia analizy od 5x5 do 500x500 mikrometrów. Pomiar wykonywany jest w warunkach UHV. Do dokładnego pomiaru głębokości warstw jako urządzenie pomocnicze stosowany jest profilometr mechaniczny Dektak XT.